Descarga de arco de tubo de calentamiento eléctrico de galvanoplastia
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Descarga de arco de tubo de calentamiento eléctrico de galvanoplastia
La galvanoplastia al vacío de siete colores generalmente utiliza las materias primas para apilarlas en un objetivo de placa, que se fija en el electrodo negativo. El sustrato se coloca sobre la superficie anodizada frente a la superficie del objetivo, a 3 cm del objetivo. Después de que el software del sistema dibuja una bomba de vacío, se llena con vapor de 10-1 Pa (generalmente argón) y aplica varios miles de voltios de voltaje de trabajo entre el electrodo negativo y la anodización, lo que provocará una descarga de arco entre los dos lados. Los iones positivos causados por carga y descarga corren hacia el electrodo negativo bajo el efecto del campo electrostático y chocan con las moléculas en la superficie del objetivo. Las moléculas objetivo que escapan de la superficie objetivo se denominan moléculas de pulverización catódica de magnetrón y su energía cinética está en el rango de 1 a decenas de electronvoltios. . Las moléculas de magnetrón se apilan en la superficie del sustrato en un colorido proceso de recubrimiento al vacío.
Capa de superficie sólida de electrones negativos de partículas de alta energía de tubo de calentamiento eléctrico de galvanoplastia
Cuando se utiliza la capa superficial sólida de electrones negativos de partículas de alta energía, las partículas en la capa superficial sólida deben obtener energía cinética y escapar de la capa superficial y acumularse en el sustrato. El estado de la pulverización catódica con magnetrón se utilizó por primera vez para la tecnología de revestimiento de superficies en 1870 y, después de 1930, se utilizó gradualmente en la producción industrial debido al aumento de la tasa de deposición.
Tubo de calentamiento eléctrico de galvanoplastia El horno de boquilla de galvanoplastia al vacío de colores está equipado con una fuente de haz de estructura molecular
El horno de chorro de galvanoplastia al vacío de siete colores está equipado con una fuente de haz de estructura molecular. Cuando se calienta a una cierta temperatura bajo una bomba de muy alto vacío, los elementos en el horno fluyen hacia el sustrato en una estructura molecular similar a un haz. El sustrato se calienta a una cierta temperatura, y la estructura molecular depositada en el sustrato puede migrar, y el cristal crece y se desarrolla en el orden de la constante de red del sustrato. El método de epitaxia de haz de estructura molecular puede obtener la alta pureza de la relación de verificación estequiométrica orgánica requerida. La tasa de crecimiento de la película de cristal único químico, la película plástica es relativamente lenta y la tasa de desarrollo se puede manipular en 1 segundo de un solo lado. Manipulando el espaciador, se puede fabricar con precisión una película plástica monocristalina de la composición y estructura deseadas. La epitaxia de haz de estructura molecular es ampliamente utilizada por los fabricantes de galvanoplastia para producir varios componentes integrados ópticamente y varias películas plásticas de estructura constante de superred.
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