Tipo de tubo PECVD Elemento eléctrico utilizado en la industria fotovoltaica

1, función central: deposición eficiente de películas delgadas de alto rendimiento
El horno tubular PECVD (horno tubular de depósito de vapor químico mejorado de plasma) es un equipo de uso común en la fabricación de células fotovoltaicas . Su función central es depositar nitruro de silicio (sinx) películas anti reflexión en la superficie de la batería de silicio cristalino a través de las células solares de plasma a través de la tecnología de vapor químico de plasma {.} la batería de la batería de silicón que mejoran la batería de la batería de la batería de la batería de los plasma. Mecanismos:
Optimización óptica: al ajustar el grosor y el índice de refracción de la película delgada sinx, utilizando el principio de interferencia de la luz para reducir la reflexión de la superficie, más luz ingresa al interior de la batería y la eficiencia de conversión fotoeléctrica se mejora en un 1% -2% .
Pasación de la superficie: el elemento de hidrógeno en SINX puede pasivar defectos de la red (como dislocaciones y enlaces colgantes) en la superficie del silicio, reducir la recombinación del portador y aumentar el voltaje del circuito abierto y la corriente de cortocircuito .
Protección mecánica: la película sirve como una capa de encapsulación para evitar la contaminación o el daño mecánico a la oblea de silicio durante los procesos posteriores .

2, ventajas técnicas: baja temperatura, alta eficiencia, control preciso
Proceso de sedimentación de baja temperatura
La tecnología PECVD utiliza plasma para excitar los gases reactivos, reduciendo la temperatura de deposición a 400-500 grado (CVD tradicional requiere más de 800 grados), evitando el daño térmico a las obleas de silicio y los materiales de sustrato a altas temperaturas, especialmente adecuadas para la fabricación de baterías delgadas y flexibles .}
Alta tasa de sedimentación y uniformidad
Tecnología de brillo de radiofrecuencia: al generar plasma de alta densidad a través de campos eléctricos de alta frecuencia (como 13 . 56MHz), la velocidad de reacción mejora enormemente y la tasa de deposición puede alcanzar 10-50 nm/min.
Control de uniformidad: adoptar la alimentación de RF de múltiples puntos, la distribución uniforme de la ruta del gas y el sistema de control de temperatura inteligente para garantizar el grosor de la película Uniformidad de menos o igual a ± 5%, satisfacer las necesidades de producción a gran escala .
Diversidad material
Puede depositar varias películas dieléctricas como SIO ₂, SI ∝ N ₄, Al ₂ O ∝, etc.
Protección del medio ambiente y conservación de energía
La tecnología de baja temperatura reduce el consumo de energía mientras evita la emisión de sustancias dañinas a altas temperaturas, lo que está en línea con la tendencia de la fabricación verde en la industria fotovoltaica .

3, Estructura del equipo y parámetros clave
configuración típica
Sistema de calentamiento: zona de resistencia de zona de temperatura única o de zona de temperatura múltiple, con una temperatura máxima de 1200 grados y una precisión de control de temperatura de ± 1 grado .
Sistema de vacío: una combinación de bomba molecular y bomba mecánica, con un grado de vacío máximo de menos de o igual a 10 ⁻ PA, que cumple con los requisitos de la deposición de película delgada de alta pureza .
Fuente de energía RF: admite un control preciso de la densidad de plasma .
Sistema de gas: medidor de flujo de masa de canales múltiples (MFC), admitiendo 1-6 mezclas de gas .
control de procesos
Programación de la curva de temperatura: admite programas de aumento de temperatura y caída de más de 30 segmentos, adaptándose a los requisitos del proceso de diferentes materiales de película .
Control de presión: rango de presión positivo -100 KPA a 100kPa, admitiendo baja presión a la conmutación de procesos de presión atmosférica .
Monitoreo inteligente: equipado con funciones como la alarma de sobrecalentamiento, la protección contra sobrecorriente y la solicitud de desconexión para garantizar el funcionamiento estable del equipo .

4, escenarios de aplicación y tendencias del mercado
Aplicaciones convencionales
Célula Perc: al depositar una película laminada de Al ₂ O ∝/Sinx, las funciones duales de la pasivación trasera y la anti reflexión se logran .
TopCon Battery: utilizando la deposición Pecvd de la capa de óxido de túnel (SIO ₂) y la capa de silicio policristalina dopada para construir canales de transporte de portadores eficientes .
Batería HJT: deposición de silicio amorfo intrínseco (IA-Si: H) en la interfaz de heterounión de silicio de silicio amorfo/cristalino para optimizar la densidad de los estados de defectos de la interfaz .